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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제29권 제7호
발행연도
2016
수록면
445 - 448 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2017

투명 UV 광 검출기
김준동 ,  이경남 ,  최인혁 정보 및 제어 논문집 2017.10 학술대회자료

2016

SnS 기반의 고성능 투명 UV 광검출기
김준동 ,  박왕희 ,  반동균 외 5명 전기전자재료학회논문지 2016.01 학술저널

초록· 키워드

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N-type ZnO와 p-type NiO의 금속 산화물 반도체 헤테로 접합을 이용하여 투명한 고성능의 광전 소자를 제작하였다. 매우 높은 흡수율을 가진 SnS를 본 헤테로 접합 디바이스의 NiO와 ZnO 층 사이에 적용시켰으며, 광학적으로 투명하고 전기적으로 전도성이 좋은 ITO 층을 본 소자의 제일 하단부에 후면 전극으로 이용하였다. 본 ITO/p-NiO/SnS/n-ZnO 헤테로 접합 소자는 SnS가 적용되지 않은 ITO/p-NiO/n-ZnO에 비해 모든 파장에서 높은 흡수율을 보였다. 본 소자의 광 특성에서는 66.43으로 SnS가 적용되지 않은 소자의 광 특성의 경우 23.57로 보다 높은 광 응답 비를 제공하며, 13 μs의 상승시간과 7 μs의 하강시간을 보이는 매우 빠른 광응답 속도를 보여준다. 이러한 SnS가 내재된 고성능 투명 UV 광검출기 제작에 있어 유용한 정보가 될 것이다.
#ITO #AZO #NiO #Absorbance #SnS #Photoresponse ratio

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F. Ran / 2015 / Sci. Rep 5:10428 Crossref M. Sharon / 1988 / Sol. Cells 25:97 Crossref M. Ristova / 1988 / Sol. Energy Mater. Sol. Cells 53:95 Crossref M. Ristov / 2001 / Sol. Energy Mater. Sol. Cells 69:17 Crossref B. Ghosh / 2008 / Sol. Energy Mater. Sol. Cells 92:1099 Crossref

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