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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 537 - 542 (6page)
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최근, n-형 InZnO/p-형 CuO 산화물 다이오드가 3차원 접합 저항 메모리 구조의 selector 소자로의 응용이 가능해 짐에 따라 연구 주제로 큰 관심을 받고 있다. 본 연구는 펄스레이저증착법 (pulsed laser deposition, PLD)을 사용하여 각각 산소분압 1∼100 mTorr, 기판 온도 상온 ∼ 600℃로 설정하여 quartz 기판 위에 InZnO 박막을 성장시켰다. 산소분압과 기판 온도에 따른 IZO 박막의 구조적, 광학적 및 전기적 특성 분성을 위해 X-선 회절 (XRD), 주사전자현미경 (SEM), UV-Vis 분광기, 엘립소미트리 (SE) 및 Hall 측정을 하였다. X-선 회절 분석 결과 산소분압과는 상관없이 기판 온도가 300℃ 이상일 때 박막의 결정성은 다결정성을 보였다. 박막의 비저항은 산소분압과 기판 온도가 감소함에 따라 증가함을 보였다. 또한 박막의 두께와 광학적 상수를 UV-Vis 분광기로 측정하여 계산한 값을 주사현미경 측정 값과 엘립소미트리 측정 값과 같이 비교 분석하였다.
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