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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제24권 제7호
발행연도
2011.1
수록면
525 - 531 (7page)

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본 연구에서는 스텝 어닐링 처리된 n형의 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 각 각 저온소자와 고온소자로 나누어 제조한 후 그 전기적 특성을 비교 분석하였다. 저온소자의 결정입자가 고온소자에 비해 크게 형성되어 있었으며, 이로 인해 스텝어닐링 처리된 저온소자의 off전류, on전류, 전달특성 값, 문턱전압 및 전자이동도가 모두 고온소자에 비해 높은 값을 나타내었다. 특히 저온소자가 갖는 높은 off전류로 인해 저온소자의 결정입자의 크기에도 불구하고 저온소자의 결정결함이 더 많음을 확인할 수 있었으며, 저온소자의 결정결함에 의존한 off전류의 증가로 on/off전류비가 저하가 발생되었음을 확인할 수 있었다.
#N channel polycrystalline silicon thin film transistor #High temperature TFT #Low temperature TFT #Step annealing #Excimer laser #Solid phase crystallization #USN #ubiquitous sensor network)

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