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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제26권 제3호
발행연도
2013.1
수록면
232 - 239 (8page)

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Mo이 증착된 유리기판 위에 CuInSe2 박막을 전착하고 후속열처리 과정을 거쳐 광활성의 박막을 만들었으며, 전착용액의 전구체 조성, 첨가제 농도 등의 전착변수와 후속열처리 온도를 조절하여 박막의 구조, 형상, 원소조성을 조절하였다. Ag/AgCl 기준전극 대비 –0.5 V의 전압을 걸어 치밀하고 균일한 CuInSe2 박막을 전착하고, 섭씨 500℃ 이상의 온도로 셀렌화 열처리하여 결정립이 잘 발달된 CuInSe2 광활성층을 제조할 수 있었다. KCN 용액으로 표면을 식각하여 전도성 이차상을 제거함으로써 Cu 조성이 낮고, 광활성이 높은 CuInSe2 광활성층을 얻었다. 전착, 열처리, KCN 식각 등 각 단계에서의 CuInSe2 박막의 특성을 SEM, XRD, Raman, AES, EDS 분석으로 해석하고, 최종적으로 태양전지 소자를 구현하는 조건을 제시하였다.
#CIS thin film solar cell #CuInSe2 #Copper indium diselenide #Electrodeposition #Post-annealing #Selenization

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A. M. Fernandezy / 1996 / / Semicond. Sci. Technol 11 : 964 ~ google schola C. J. Huang / 2004 / / Solar Energy Materials & Solar Cells 82 : 553 ~ google schola D. Guimard / 2002 / / Photovoltaic Special Conference, 2002 Conference Record of the 29-IEEE : 692 ~ google schola F. Liu / 2009 / / J. Mater. Sci. Technol 25 : 242 ~ google schola J. H. Park / 1994 / / Appl. Phys. A 58 : 125 ~ google schola

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