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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제26권 제3호
발행연도
2013.1
수록면
252 - 256 (5page)

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본 연구에서는, 기존 poly (3-hexylthiophene):[6,6]-phenyl C61-butyric acid methyl ester (P3HT:PCBM) 광전 변환층에 감광성 염료인 Bis(tetra butyl ammonium) cis-dithio cyanato bis(2,2’-bipyridine-4-carboxylicacid-4’-carboxylate) ruthenium (II) (N719 dye)를 도핑하여 높은 광전 특성을 갖는 고분자 태양전지를 제작하였다. 감광성 염료를 광전 변환층에 도핑한 고분자 태양전지의 개방 전압, 단락 전류 밀도, 곡선 인자는 기존 소자에 비해 증대되는 것을 확인하였으며, 기존 소자 (3.6%)에 비해 약 11% 증가된 4.0%의 높은 광전 변환 효율을 갖는 것을 확인하였다. 이러한 증진 효과는 PV 박막에서의 광여기 전하 생성 및 전자 수집이 향상된 결과에 기인한 것으로 해석된다. 본 연구 결과를 기반으로, 추후 roll-to-roll 코팅 방식과 같은 고속 인쇄 방식을 적용하여 높은 광전 특성을 갖으면서 제작 공정인 간단한 고분자 태양전지를 제작할 수 있을 것으로 기대된다.

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