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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제12권 제3호
발행연도
2011.1
수록면
102 - 105 (4page)

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This work describes the characteristics of zinc oxide (ZnO) thin films formed on a polycrystalline (poly) 3C-SiC buffer layer using a sol-gel process. The deposited ZnO films were characterized using X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and photoluminescence (PL) spectra. ZnO thin films grown on the poly 3C-SiC buffer layer had a nanoparticle structure and porous film. The effects of post-annealing on ZnO film were also studied. The PL spectra at room temperature confirmed the crystal quality and optical properties of ZnO thin films formed on the 3C-SiC buffer layer were improved due to close lattice mismatch in the ZnO/3C-SiC interface.
#Zinc oxide nanoparticles #3C-SiC buffer layer #Sol-gel method

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A. A. Ashrafi / 2000 / 221 (435) google schola C. Jagadish / 2006 / Thin Films and Nanostructures: Processing, Properties and Applications / Elsevier google schola G. H. Lee / 2005 / / J. Ceram. Soc. Jpn 113 (64) google schola J. Eriksson / 2009 / / Sensors Actuators B: Chem 137 (94) google schola K. Koike / 2004 / / Physica 21 (679) google schola

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