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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
S. -K. Ha (Korea Institute of Science and Technology) J. D. Song (Korea Institute of Science and Technology)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology Applied Science and Convergence Technology Vol.24 No.6
발행연도
2015.11
수록면
245 - 249 (5page)

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Vertically coupled low density InGaAs quantum dots (QDs) buried in GaAs matrix were grown with migration enhanced molecular beam epitaxy method as a candidate for quantum information processing devices. We performed excitation power-dependent photoluminescence measurements at cryogenic temperature to analyze the effects of vertical coupling according to the variation in thickness of spacer layer. The more intense coupling effects were observed with the thinner spacer layer, which modified emission properties of QDs significantly. The low surface density of QDs was observed by atomic force microscopy, and scanning transmission electron microscopy verified the successful vertical coupling between low density QDs.

목차

Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experiments
Ⅲ. Results and Discussion
Ⅳ. Conclusions
References

참고문헌 (16)

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