Controllable Growth of Single Layer MoS₂ and Resistance Switching Effect in Polymer/MoS₂ Structure

Sung Jae Park; Dongil Chu; Eun Kyu Kim

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자료유형: 학술저널

저자정보: Sung Jae Park (Hanyang University) Dongil Chu (Hanyang University) Eun Kyu Kim (Hanyang University)

저널정보: 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology Applied Science and Convergence Technology Vol.26 No.5

발행연도: 2017.9

수록면: 129 - 132 (4page)

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We report a chemical vapor deposition approach and optimized growth condition to the synthesis of single layer molybdenum disulfide (MoS2). Obtaining large grain size with continuous MoS2 atomically thin films is highly responsible to the growth distance between molybdenum trioxide source and receiving silicon substrate. Experimental results indicate that triangular shape MoS2 grain size could be enlarged up to > 80 um with the precisely controlled the source-to-substrate distance under 7.5 mm. Furthermore, we demonstrate fabrication of a memory device by employing poly(methyl methacrylate) (PMMA) as insulating layer. The fabricated devices have a PMMA-MoS2/metal configuration and exhibit a bistable resistance switching behavior with high/low-current ratio around 103.

#MoS< #SUB> #2< #/SUB> #CVD #Controllable grain size #Memory

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