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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology Applied Science and Convergence Technology Vol.27 No.5
- 발행연도
- 2018.9
- 수록면
- 95 - 99 (5page)
- DOI
- 10.5757/ASCT.2018.27.5.95
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We discuss the structural and optical characteristics of GaN nanowires (NWs) grown on Si(111) substrates by a plasmaassisted molecular-beam epitaxy. The GaN NWs with high crystal quality were formed by adopting a new growth approach, so called Ga pre-deposition (GaPD) method. In the GaPD, only Ga was supplied without nitrogen flux on a SiN/Si surface, resulting in the formation of Ga droplets. The Ga droplets were used as initial nucleation sites for the growth of GaN NWs. The GaN NWs with the average heights of 60.10 to 214.62 nm obtained by increasing growth time. The hexagonal-shaped top surfaces and facets were observed from the field-emission electron microscope images of GaN NWs, indicating that the NWs have the wurtzite (WZ) crystal structure. Strong peaks of GaN (0002) corresponding to WZ structures were also observed from double crystal x-ray diffraction rocking curves of the NW samples. At room temperature, free-exciton emissions were observed from GaN NWs with narrow linewidth broadenings, indicating to the formation of high-quality NWs.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experimental details
Ⅲ. Results and discussion
Ⅳ. Conclusions
References
참고문헌 (39)
참고문헌 신청
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