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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1993.6
- 수록면
- 199 - 208 (10page)
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Si 기판 표면상태 변화와 관련된 핵생성 자유에너지 증가에 따른 다이아몬드 박막성장 거동을 관찰하였다. 표면 연마조건 변화에 따른 3가지 기판(A-Si, B-Si, C-Si) 위에 동일한 성장조건으로 다이아몬드를 성장하였으며, 이때 형상인자와 관련된 자유에너지 관계는 ΔG_(A-Si)<ΔG_(B-Si)<ΔG_(C-Si)이다. AES, SEM, XRD, RHEED에 의해 각각의 박막 A, B, C를 조사한 결과, 핵생성 자유에너지가 가장 적은 A 박막은 (100) (110) 면이 지배적인 고품위 다이아몬드 박막이다. 자유에너지가 A에 비해 다소 적은 B 박막은 (111) 면이 지배적인 8면체 다이아몬드 박막이고, 자유에너지가 가장 적은 C 박막은 흑연이 많이 함유된 구상의 다이아몬드이다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
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