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저자정보
Jinwoong Hwang (Pusan National University) Ji-Eun Lee (Pusan National University) Minhee Kang (Pusan National University) Byeong-Gyu Park (Pohang University of Science and Technology) Jonathan Denlinger (Lawrence Berkeley National Laboratory) Sung-Kwan Mo (Lawrence Berkeley National Laboratory) Choongyu Hwang (Pusan National University)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology Applied Science and Convergence Technology Vol.27 No.5
발행연도
2018.9
수록면
90 - 94 (5page)
DOI
10.5757/ASCT.2018.27.5.90

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The electron band structure of manganese-adsorbed graphene on an SiC(0001) substrate has been studied using angleresolved photoemission spectroscopy. Upon introducing manganese atoms, the conduction band of graphene, that is observed in pristine graphene indicating intrinsic electron-doping by the substrate, completely disappears and the valence band maximum is observed at 0.4 eV below Fermi energy. At the same time, the slope of the valence band decreases by the presence of manganese atoms, approaching the electron band structure calculated using the local density approximation method. The former provides experimental evidence of the formation of nearly free-standing graphene on an SiC substrate, concomitant with a metal-to-insulator transition. The latter suggests that its electronic correlations are efficiently screened, suggesting that the dielectric property of the substrate is modified by manganese atoms and indicating that electronic correlations in grpahene can also be tuned by foreign atoms. These results pave the way for promising device application using graphene that is semiconducting and charge neutral.
#Graphene #SiC #Manganese #Free-standing #Metal-to-insulator transition #Angle-resolved photoemission spectroscopy

목차

Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experimental details
Ⅲ. Results
Ⅳ. Discussion
Ⅴ. Conclusions
References

참고문헌 (34)

참고문헌 신청
Y. Zhang, Y. W. Tan, H. L. Stormer, and P. Kim, Nature 438, 201 (2005). K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, M. I. Katsnelson, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos, and A. A. Firsov, Nature 438, 197 (2005). L. Liao, Y. C. Lin, M. Bao, R. Cheng, J. Bai, Y. Liu, Y. Qu, K. L. Wang, Y. Huang, and X. Duan, Nature 467, 305 (2010). K. I. Bolotin, K. J. Sikes, Z. Jiang, M. Klima, G. Fudenberg, J. Hone, P. Kim, and H. L. Stormer, Solid State Commun. 146, 351 (2008). A. H. Castro Neto, F. Guinea, N. M. R. Peres, K. S. Novoselov, and A. K. Geim, Rev. Mod. Phys. 81, 109 (2009).

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