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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제2권 제2호
발행연도
1993.6
수록면
236 - 245 (10page)

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SbSI : V, SbSel : V, BiSI : V, BiSeI : V, SbSI : Cr, SbSeI : Cr, BiSI : Cr, SbSI : Ni, SbSeI : Ni, BiSI : Ni, 및 BiSeI : Ni 단결정을 고순도(99.9999%)의 성분원소에 혼합물을 투명석 영관내에 넣고, 1×10^(-6)㎜Hg의 진공에서 봉입하여 합성한 ingot를 사용하여, 수직 Bridgman 방법으로 성장시켰다. 성장된 단결정의 구조는 orthorhombic 구조이며, 광학적 energy band gap 구조는 간접전이형 이였고, energy gap의 온도의존성은 상전이에 관계되는 2개의 변곡점이 나타났으며, 연 속된 영역에서는 Varshni 방정식을 만족하였다. 첨가한 3d 불순물 (V, Cr, Ni)은 모결정의 T_d 대칭을 갖는 주격자점에 +2가 ion으로 위치하며, 이들 ion의 energy 준위간의 전자전이에 의하여 불순물 광흡수 peak 가 나타난다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 실험결과와 고찰

4. 결론

참고문헌

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