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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제2권 제3호
발행연도
1993.9
수록면
355 - 359 (5page)

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전자빔증착기를 이용하여 적외선영역에서 직접천이형 에너지갭을 갖는 Ⅲ-Ⅴ족 2원 화합물 반도체인 InSb 박막을 제작하여 전기, 자기적 특성을 조사하였다. 기판온도 350℃에서 증착된 박막을 425℃의 온도에서 30 분 동안 아닐링한 박막은 In₂O₃ 피크가 없어지고, InSb 피크만 나타났으며, 이때의 격자상수 α_0는 6.49Å이었다. 기판온도 350℃까지는 InSb 박막의 결정화가 일어나 전자 이동도가 증가하고 비저항은 감소하였다. 자계 0.5-9kG범위에서 van der Pauw 방법으로 홀효과를 측정하여 전기, 자기적 특성을 조사하였다. 최적의 조건에서 증착된 박막의 전도형은 n형이었고, 실온에서 캐리어 농도 및 이동도는 각 각 2.55×10^(16)㎝^(-3), 2.83×10⁴㎠/Vㆍsec이었다. 자계가 증가할수록 자계저항은 증가하였고, 9kG에서 자계저항은 1.98이었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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