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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제6권 제2호
발행연도
1997.5
수록면
159 - 164 (6page)

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X-선 광전자 분광법(x-ray photoelectron spectroscopy: XPS)과 반사 고에너지 전자 회절법(reflection high energy electron diffraction: RHEED)을 이용하여 상온과 고온(약 300~500℃)에서 알칼리금속(AM)/Si(111)7×7 표면의 초기 산화 과정에 대하여 연구하였다. 상온에서, Si(111)7×7 표면에 1 monolayer(ML)의 AM을 흡착시키면 Si(111)7×7 표면에 비해 산소의 초기 부착 계수 (initial sticking coefficient)와 산소의 포화량이 증가하는 반면 0.5ML 이하의 AM이 흡착된 경우는 깨끗한 Si(111)7×7 표면에 비하여 초기 부착 계수는 증가하지만 산소의 포화량은 증가하지 않았다. Si(111)7×7-AM 표면에 산소의 주입량을 증가시키면서 측정한 O Is 스펙트럼으로부터 AM이 흡착된 Si(111)7×7 표면에 흡착되는 산소원자는 Si-O, AM-O 두 종류의 결합형태를 가지는 것으로 생각되며 이중에서 AM-O 결합의 산화과정상에서의 역할에 대하여 논의하였다. 상온과는 달리 고온에서는, Si(111)3×1-AM 표면으로 구조가 변화하면서 산소의 흡착이 급격히 떨어지는 것을 관측할 수 있었다. 이때 3×1-AM 표면을 형성시키는 AM 종류의 산화에 대한 의존성을 살펴보았다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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