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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제6권 제2호
발행연도
1997.5
수록면
165 - 171 (7page)

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Pd 금속을 9 Å보다 많은 양을 Si 표면에 증착한 경우에 형성되는 Pd-실리사이드는 순수한 Pd 금속이 쌓이기 전단계인 Pd 양이 많은 Pd₃Si 상이다. 또한, Si 표면에 Pd 금속을 1Å 이상을 증착 하였을 때 형성되는 Pd-실리사이드는 Pd₂Si 상이다. 그리고, Si 표면에 Pd 금속을 1Å보다 작은 양을 증착한 Pd 3d 내각준위의 분광을 보면, Pd의 증착 두께가 얇아질수록 Pd 3d 내각준위의 반높이에서 반너비(half width at half maximum: HWHM)의 크기가 넓어진다. 매우 작은 양의 Pd 금속을 Si 표면에 증착한 경우에 반너비가 넓어진 이유는 많은 연구자들이 찾아낸 Pd-실리사이드인 Pd₂Si 상외에 Si 양이 많은 새로운 Pd-실리사이드인 PdSi 상이 존재하는 것 때문이다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험결과와 분석

4. 결론

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