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한국진공학회(ASCT) Journal of Korean Vacuum Science & Technology Journal of Korean Vacuum Science & Technology Vol.4 No.1
발행연도
2000.3
수록면
11 - 17 (7page)

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The low temperature electron mobilities were investigated in Si/Si_(1-x)Ge_x modulation Doped (MOD) quantum well structure with thermally grown oxide. N-type Si/Si_(1-x)Ge_x structures were fabricated by a gas source MBE. Thermal oxidation was carried out in a dry O₂ atmosphere at 700℃ for 7 hours. Electron mobilities were measured by a Hall effect and a magnetoresistant effect at low temperatures down to 0.4 K. Pronounced Shubnikov-de Haas (SdH) oscillations were observed at a low temperature showing two dimensional electron gases (2 DEG) in a tensile strained Si quantum well. The electron sheet density (n_s) of 1.5×10¹² [㎝-²] and corresponding electron mobility of 14200 [㎤V-¹s-¹] were obtained at low temperature of 0.4 K from Si/Si_(1-x)Ge_x MOD quantum well structure with thermally grown oxide.

목차

Abstract

Ⅰ. Introduction

Ⅱ. Experiment

Ⅲ. Results and discussion

Ⅳ. Conclusion

Acknowledgements

References

참고문헌 (0)

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