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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국진공학회(ASCT) Journal of Korean Vacuum Science & Technology Journal of Korean Vacuum Science & Technology Vol.5 No.2
- 발행연도
- 2001.12
- 수록면
- 52 - 55 (4page)
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We report best dielectric function of ZnS by spectroscopic ellipsometry in the 3.7 - 6.0 eV photon energy range at room temperature. Using proper wet chemical etching procedure, natural overlayer was removed to obtain the pure dielectric function of ZnS, which had a higher <ε₂> value at the E₁ band gap peak than that previously reported. We also determined the dielectric property of the natural overlayer on ZnS by following the evolution of <ε> with chemical etching. We found that the optical property of the overlayer was well described by amorphous semiconductor model.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experimental Details
3. Results and Discussion
4. Conclusions
Acknowledgments
References
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