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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제4권 제3호
발행연도
1995.9
수록면
275 - 282 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

1995

Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition (UHVCVD)법에 의한 GaAs와 InGaAs 박막의 선택 에피택시
김성복 ,  박성주 ,  노정래 외 1명 Applied Science and Convergence Technology 1995.09 학술저널

1994

Si₃N₄로 Pattern된 GaAs 기판위에 Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition법에 의한 GaAs와 InGaAs의 선택 에피택시 성장
김성복 ,  노정래 ,  박성주 외 1명 한국진공학회 학술발표회초록집 1994.02 학술대회자료

초록· 키워드

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Ⅲ족 원료 가스로 triethylgallium(TEGa)과 trimethylindium(TMIn)을 사용하고 V족 원료 가스로 사전 열 분해하지 않은 arsine(AsH₃)과 monoethylarsine(MEAs)을 사용하여 ultrahigh vacuum chemical vapor deposition(UHVCVD)법으로 Si₃N₄로 패턴된 GaAsS(100) 기판 위에 GaAs와 InGaAs 박막을 선택적으로 에피택시 성장을 하였다. V족 원료 가스를 사전 열 분해하지 않으므로 넓은 성장 온도 구간과 V/Ⅲ 비율에서도 선택적으로 박막이 성장되었다. 또한 선택 에피택시의 성장 메카니즘을 규명하기 위하여 다양한 filling factor(전체 면적중 opening된 면적의 비율)를 가지는 기판을 제작하여 성장에 사용하였다. UNVCVD법에서는 마스크에 입사된 분자 상태의 원료 기체가 탈착된 후 표면 이동이나 가스 상태의 확산과정 없이 마스크로부터 제거되므로 패턴의 크기와 모양에 따른 성장 속도의 변화나 조성의 변화가 없을 뿐만 아니라 chemical beam epitaxy (CBE)/metalorganic molecular beam epitaxy(MOMBE)법에서 알려진 한계 성장온도 이하에서 선택 에피택시 성장이 이루어졌다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험결과

4. 결론

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