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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제1호
발행연도
1999.2
수록면
43 - 50 (8page)

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이온빔보조증착법으로 h-BN을 증착하여 이온에너지 및 기판온도에 따른 hexagonal ring의 배열 및 결정성의 변화를 연구하였다. 보론은 전자빔으로 1.5 Å/sec의 속도로 증발시켰으며, 질소는 end-hall 형 이 온건으로 60, 80, 100eV의 에너지로 공급하였다. 기판의 온도는 상온 (no heating), 200, 400, 500, 800℃로 변화시켰다. 질소이온에너지가 증가할수록 hexagonal ring의 c-축은 기판에 평행하게 배열하여 100 eV의 질소이온 에너지에서 가장 좋은 배열을 나타내었다. 이는 이온에너지가 높을수록 합성 막에 큰 압축응력이 발생하기 때문으로 생각된다. 기판온도에 따라서는 온도가 증가함에 따라 배열이 증가하다가 약 400℃에서 최대가 되고 그 보다 높은 온도에서는 배열이 감소하였다. 그리고 결정도는 온도가 증가할수록 향상되었다. 이러한 경향들은 온도가 증가함에 따라 원자 이동도는 증가하고 응력발생은 어려워지는 경향으로부터 잘 설명된다. 또한 nano-indentor로 측정한 h-BN막의 경도는 c-축의 배열정도와 같은 경향을 보였다. 이온빔보조증착법은 hexagonal ring의 배열을 통한 h-BN막 성질의 최적화에 효과적인 방법으로 판단된다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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