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논문 기본 정보

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저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제4(1)호
발행연도
1999.11
수록면
482 - 489 (8page)

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교류 플라즈마 표시기(PDP) 방전 시 불순물이 발생하면 휘도와 효율 및 동작수명 등의 저하가 발생한다. 그러나 아직 정확한 불순물 종의 규명이 이루어지지 않은 상태이다. 유전체 보호막으로 사용되는 MgO 보호막은 교류 플라즈마 표시기 구조 상 방전가스와 직접 접하기 때문에 불순물을 제공하는 가장 큰 인자가 될 수 있다. 본 논문에서는 유리기판 위에 전극과 유전체 및 MgO 보호막이 형성된 단면 패널을 300 Torr Ne+Xe 5% 가스 하에서 방전을 시켜 발생하는 불순물 종을 QMS(quadrupole mass spectrometer)로 분석한 결과, 이러한 불순물은 열에 의한 아웃 개싱(outgassing)이 아니라 스퍼터링(sputtering)에 의해 발생하는 것을 확인하였다. 아울러 전자빔 증착법, 마그네트론 스퍼터링법, 이온 플레이팅법을 사용하여 각각 형성된 MgO 보호막에 대하여 불순물 종을 분석한 결과 전자빔 증착법으로 형성된 MgO 보호막에서 불순물이 가장 많이 검출되었고 마그네트론 스퍼터링법과 이온 플레이팅법으로 형성된 MgO 보호막에서는 상대적으로 불순물이 적게 검출되었다. 또 어닐링(annealing)을 한 경우가 그렇지 않은 경우에 비해 불순물이 상당히 적게 검출되었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험장치 및 방법

3. 실험 결과 및 토론

4. 결론

참고문헌

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