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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제11권 제4호
발행연도
2002.12
수록면
256 - 260 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2002

금속 기판 위에 성장한 탄소나노튜브 특성에 관한 연구
김현숙 ,  박성렬 ,  양지훈 외 3명 Applied Science and Convergence Technology 2002.12 학술저널
금속 기판 위에 성장한 탄소나노튜브의 성장 특성에 관한 연구
김현숙 ,  박성렬 ,  양지훈 외 3명 한국진공학회 학술발표회초록집 2002.06 학술대회자료

초록· 키워드

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MPECVD(micro-wave plasma-enhanced chemical vapor deposition)를 이용하여 금속(SUS304) 기판에 650℃에서 CH₄(11%)와 H₂(89%)를 주입하여 탄소나노튜브를 성장시켰으며, 주사전자현미경과 투과전자현미경으로 성장양상, 굵기등을 조사하였다. Raman 스펙트럼으로 탄소나노튜브의 결정성과 불순물 또는 결함등을 알아보고, TEM으로 다중벽 탄소나노튜브가 성장하였음을 확인하였으며, I-V측정을 통해 얻은 turn-on-field와 전류밀도는 각각 4.4 V/㎛ 와 8.4×10¹ ㎂/㎠이었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

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