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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제12권 제1호
발행연도
2003.3
수록면
35 - 39 (5page)

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본 논문에서는 혼합가스 없이 메탄가스만을 사용하여 RF PECVD 방법으로 성장시킨 a-C 박막의 전계전자방출특성을 조사하였다. 또한 본 논문은 박막의 표면형태와 결정들의 결합구조가 어떻게 전계전자방출에 영향을 미치는가에 관하여 보고 된다, a-C 박막의 전계전자방출특성은 증착온도에 크게 의존함이 확인되었다. 실온에서 성장된 카본박막의 문턱전압은 20 V/㎛이었다. 그러나 증착온도가 500℃로부터 600℃로 증가함에 따라 문턱전압은 17 V/㎛에서 10 V/㎛으로 감소하였으며 800℃에서는 문턱전압이 8 V/㎛로 크게 개선되었다. 박막의 표면형태, 구조적인 특징과 전계전자방출특성의 관계를 조사하기 위해서 라만 스펙트럼과 주사형전자현미경 (scanning electron microscopy : SEM)을 사용하였다. 박막의 물리적, 화학적 특성은 증착온도에 매우 의존하며 이들 특성들은 전계전자방출특성에 큰 영향을 미친다는 사실을 발견했다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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