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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제3권 제1호
발행연도
1994.3
수록면
33 - 38 (6page)

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Hot-wall epitaxy 방법에 의하여 GaAs(100) 기판 위에 CdTe(100) 박막을 성장하였다. 박막을 성장하는 동안 기판의 온도는 280℃, 증발원의 온도는 430℃로 유지하였고 성장률은 2 ㎛/h이었다. 박막의 두께가 증가함에 따라 격자상수와 2결정 X-선 요동곡선의 반폭치가 감소하였다. CdTe(100) 박막의 광전류 스펙트럼으로부터 에너지 띠간격의 광전류 봉우리는 가전자대 Γ_8에 있는 전자가 광흡수에 의해 전도대 Γ_6로 전이한 것이며, 에너지 띠간격의 온도의존성을 구한 결과 온도계수 a=-2.3~-3.5×10^(-4) eV/K 정도임을 알았다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 실험결과 및 논의

4. 결론

참고문헌

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