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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제3권 제1호
발행연도
1994.3
수록면
71 - 76 (6page)

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ANO 구조의 캐패시터 유전체막의 전기적인 특성을 ONO 구조의 캐패시터 유전체막의 경우와 비교하였다. ONO막과 ANO막의 전기적 특성은 고주파(1 ㎒) C-V, 정전압 stress 후 고주파 C-V, I-V, TDDB와 refresh time을 측정하여 평가하였다. ANO막이 ONO막보다 높은 절연파괴전하(Q_(BD))와 축적용량을 가졌고, 긴 refresh time을 가지는 우수한 전기적 특성을 나타냈다. 또한, ONO막과 ANO막과의 누설전류와 flat band 전압변화 (△V_(fb))에서도 거의 차이가 없었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험결과 및 고찰

4. 결론

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