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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제1호
발행연도
1998.2
수록면
51 - 58 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

1998

Traveling Wave Reactor Atomic Layer Epitaxy를 이용한 ZnS와 ZnS : Tb 박막의 성장과 박막 특성의 연구
윤선진 ,  남기수 Applied Science and Convergence Technology 1998.02 학술저널
Atomic Layer Epitaxy를 이용한 Al2O3 유전 박막의 성장과 박막 특성의 연구
윤선진 ,  강정숙 ,  남상두 외 2명 대한전자공학회 학술대회 1998.01 학술대회자료
ZnCl2 , H2S , Tb ( thd ) 3를 이용한 ZnS , ZnS : Tb 박막의 Traveling Wave Reactor Atomic Layer Epitaxy 성장과 특성 연구
윤선진 ,  S ,  ijata Dey 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1998.01 학술대회자료

1996

Atomic Layer Epitaxy 방법으로 $Al(CH_3)_3$을 사용하여 성장한 $Al_2O_3$ 박막의 특성연구
윤선진 ,  김혜림 ,  이중환 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 1996.01 학술대회자료

초록· 키워드

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Traveling wave reactor atomic layer epitaxy(ALE) 방법으로 ZnS와 ZnS:Tb 박막을 성장하고 성장 조건에 따른 박막 특성을 연구하였다. ZnS 박막의 precursor로는 ZnCl₂와 H₂S를 이용하였으며, 기판 온도 400-500℃ 범위에서 성장하였다. 본 연구 논문에서는 성장온도에 따른 ZnS 박막의 결정성의 변화와 precursor에 의한 Cl 유입량의 변화를 살펴보고 투과 전자현미경과 주사형 전자현미경으로 ZnS 박막의 표면 형상과 미세구조를 관찰하였다. 연구 결과에 의하면 ALE에 의하여 매우 균일하고hexagonal 2H 구조의 결정성이 우수한 박막이 성장되었으며 성장온도가 증가할수록 Cl 유입량이 감소하고 결정성이 향상되었다. 성장온도 400℃에서 약 9 at.%, 500℃에서 약 1 at.%의 Cl이 유입되었으며, 박막 내에 유입된 Cl은 표면으로의 segregation 현상을 나타내었다. 또한 electroluminescent 소자의 녹색 형광재료인 ZnS:Tb을 Tb precursor로 tris(2,2,6,6-tetramethyl 3,5-heptandionato) terbium을 이용하여 성장하고 박막 결정성과 박막 내 불순물이 유입되는 경향 등을 연구하였다. Auger electron spectroscopy 분석 결과에 의하면 0.5 at.%의 Tb이 포함된 ZnS:Tb 박막은 C은 거의 포함하고 있지 않았으나 O은 약 1 at.% 정도 포함되어 있었다. ZnS:Tb 박막은 Tb과 소량의 O을 함유하고 있음에도 불구하고 결정성은 우수한 hexagonal 구조를 유지하고 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 실험 결과 및 토의

4. 결론

감사의 글

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