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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제3호
발행연도
1998.8
수록면
255 - 260 (6page)

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Ionized magnetron sputtering 은 high density plasma를 사용하여 스퍼터된 입자의 이온화율을 기판에서의 플럭스 기준으로 80%이상까지 증대시킬 수 있는 방법으로 반도체 소자의 아주 작은 홀 이나 via con-tact등을 채울 수 있는 아주 유용한 수단이나 가스의 압력이 30 mTorr 이상으로 상당히 높아야만 이온화율이 높게 유지되어 스퍼터 증착 속도가 느려지고 중성입자의 각도 분포가 넓어지는 단점이 있다. 그 원인이 스퍼터된 입자들에의한 전자 온도의 급격한 감소와 타겟 주변에서의 가스 희귀화 현상에 있다고 보고 이를 보완하고자 스퍼터 전력을 펄스화 하는 방법을 고안하여 실험하였다. 그 결과 펄스의 on/off time이 10 ㎳/10 ㎳, 100 ㎳/100 ㎳에서 가장 높은 이온화율을 가시광 분광 결과에서 보였으며 실제로 Ag의 XRD결과 (111)에서 (200)으로 우선 방위의 현격한 변화가 관찰되었다. 이를 고전력 스퍼터링에 의한 중성 가스 가열과 냉각의 측면에서 해석하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험결과 및 고찰

4. 결론

후기

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