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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제4호
발행연도
1998.11
수록면
403 - 409 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

1998

자장강화된 유도결합형 플라즈마를 이용한 산화막 식각에 대한 연구
안경준 ,  김현수 ,  우형철 외 2명 Applied Science and Convergence Technology 1998.11 학술저널
자장 강화된 유도결합형 플라즈마의 특성 및 광도파로 제작을 위한 산화막 식각에의 응용에 관한 연구
안경준 ,  이도행 ,  유지범 외 1명 한국표면공학회 학술발표회 초록집 1998.05 학술대회자료

1997

자장 강화된 유도결합형 플라즈마 특성 및 광도파로형 산화막 식각에의 응용
안경준 ,  김현수 ,  이용혁 외 2명 한국재료학회 학술발표대회 1997.01 학술대회자료

초록· 키워드

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본 연구에서는 자장강화된 유도결합형 플라즈마를 사용하여 이 플라즈마의 특성을 조사하고 또한 산화막 식각에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. 자장 강화를 위해 4쌍의 영구자석이 사용되었고, 산화막 식각을 위해 C₂F_6, CHF₃, C₄F_8 가스 및 이들 혼합가스가 사용되었으며 첨가가스로 H₂를 사용하였다. 자장강화된 유도결합형 플라즈마 특성 분석을 위해 Langmuir probe 와 optical emission spectrometer를 이용하였으며 산화막 식각 속도 및 photoresist에 대한 식각 선택비를 stylus profilometer를 이용하여 측정하였다. 이온 밀도에 있어서 자장 유무에 따른 큰 변화는 관찰되지 않았으나 이온전류밀도의 균일도는 자장을 가한 경우 웨이퍼가 놓이는 기판 부분에서 상당히 증가된 것을 알 수 있었다. 또한 자장이 가해진 경우, 자장을 가하지 않은 경우에 비해 플라즈마 전위가 감소된 반면 전자온도 및 라디칼 밀도는 크게 증가되는 것을 알 수 있었으며 산화막 식각시에도 높은 식각 속도와 식각 균일도를 보였다. 산화막 식각을 위해 수소가스를 사용한 가스조합중에서 C₄F_8/H₂가스조합이 가장 우수한 식각 속도및 photoresist에 대한 식각 선택비를 나타내었으며 공정변수를 최적화 함으로써 순수 C₄F_8에서 4이상의 선택비와 함께 8000 Å/min의 가장 높은 식각속도를 얻을 수 있었으며, 50%C₄F_8/50%H₂에서 4000 Å/min의 산화막 식각 속도와 함께 15이상의 식각 선택비를 얻을 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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