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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제9권 제2호
발행연도
2000.5
수록면
116 - 121 (6page)

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Molecular beam epitaxy(MBE)로 성장시킨 Al_(0.24)Ga_(0.76)As/GaAs 에피층 구조의 표면 광전압을 측정하였다. 측정된 신호로부터 구한 Al_(0.24)Ga_(0.76)As 에피층, GaAs 기판 그리고 GaAs 완충층의 밴드갭 에너지는 각각 1.72, 1.40그리고 1.42 eV이다. 이는 photoreflectance(PR) 측정 결과와 잘 일치하였다. 그리고 Al_(0.24)Ga_(0.76)As에피층이 GaAs 기판의 표면 광전압 세기 보다 약 3배 정도 작게 나타났는데, 이는 캐리어의 이동도 차이로 나타나는 현상으로 해석된다. 또한 표면 광전압의 온도 의존성으로부터 Varshni 식의 계수들을 구하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 논의

4. 결론

참고문헌

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