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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제15권 제5호
발행연도
2006.9
수록면
499 - 505 (7page)

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열 화학기상법으로 만든 GaN와 GaP 나노와이어에서 전계 방출과, 산소와 아르곤 분위기에서 안정성에 대해 조사하였다. GaN 나노와이어의 경우 산소 분위기에서 전계 방출이 급격하게 줄었으나, GaP에서는 그렇지 않았다. 두 나노와이어 모두 아르곤 분위기에서는 큰 변화가 없었다. GaP 나노와이어의 외부에 존재하는 산화물 층이 전자 방출 안정성에 크게 기여한 것으로 생각된다. 나노와이어에서 방출된 전자의 에너지 분포를 통해 반도체 나노와이어는 탄소 나노튜브와 그 전계 방출 메카니즘이 다름을 유추할 수 있었다.
#field emission #nanowire #GaN #GaP #oxygen #stability #전계 방출 #나노와이어 #산소 #안정성

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참고문헌 (2)

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[학술지(정기간행물)] - / 1999 / There might be a chance of oxidation of GaN nanowires. The chance of that oxidation is considered not to be high due to the relatively low temperature and strong binding between Ga and N atoms. 75 (2602) google schola [학술지(정기간행물)] - S. Nakamura / 2000 / Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes google schola

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