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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제18권 제4호
발행연도
2009.7
수록면
266 - 271 (6page)

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Migration Enhanced Molecular Beam Epitaxy를 통해 성장한 GaAs 기반 1300 ㎚ 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성을 연구하였다. 펄스 및 상온 연속 동작에서 전류 주입 및 동작 온도 변화에 따른 L-I 특성과 발진 스펙트럼 측정을 통해 바닥준위(1302 ㎚)에서 여기준위(1206 nm)로의 발진 파장의 전환을 관찰하였으며 이는 양자점 바닥준위 이득의 포화로 이해된다. 상온 펄스 동작시 문턱전류 밀도는 92 A/㎠, 발진 파장은 1311 ㎚이며, 상온 연속 동작시 문턱전류 밀도는 247 A/㎠, 발진 파장은 1320 ㎚이다.

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 양자점 레이저 다이오드의 제작
Ⅲ. 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성
Ⅳ. 결론
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