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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.3
- 수록면
- 100 - 105 (6page)
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이온을 Si(100) 기판에 주입할 때 조사량과 에너지, 빔 전류가 면저항에 영향을 미치는 원인을 규명하기 위해 여러 연구자가 행하였던 실험과 동일한 조건으로 Crystal TRIM 프로그램을 이용하여 컴퓨터 시뮬레이션을 실행하였다. 주입한 As?이온의 조사량을 1×10¹?/㎠로 일정하게 하고 에너지를 5, 10, 15 keV로 변화시켜 계산한 결과 에너지가 커질수록 Rp값은 표면에서 깊어지는 반면에, 표면근방에 축적되는 격자손상은 증가하였다. 20keV의 B?이온을 5×10¹?/㎠의 동일한 조사량으로 1㎃와 7 ㎃의 빔 전류에 해당하는 값을 이용하여 계산한 결과 빔 전류가 커질수록 표면근방 100 ㎚ 이내에서 격자손상이 증가 하였다. 20 keV의 일정한 에너지로 B?이온을 1×10¹?, 3×10¹?/㎠ 조사량과 0.8 ㎃와 8 ㎃의 빔 전류로 각각 계산한 결과 조사량이 많아질수록, 빔 전류가 커질수록 표면 근방에 축적되는 격자손상의 양이 증가하였다. 이러한 에너지, 조사량과 빔 전류 증가에 의한 시료표면의 격자손상 증가는 시료표면의 면저항을 감소시킨다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 컴퓨터 시뮬레이션
Ⅲ. 결과 및 논의
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
참고문헌 (16)
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1. [학술지(정기간행물)] - I. Mizushima / 1998 / / Materials Chemistry and Physics 54 : 54 ~ 59
2. [학술지(정기간행물)] - G. Fuse / 2005 / / Nucl. Instr. and Meth. B 237 : 77 ~
3. [학술지(정기간행물)] - M. Koh / 1994 / / Japan. J. Appl. Phys 38 : 2324 ~
4. [학술지(정기간행물)] - T. L. Alford / 2009 / / J. Appl. Phys 106 : 114902 ~
5. [학술지(정기간행물)] - M. Posselt / 1994 / / Radiat. Eff. Defects Solids 130 : 87 ~
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4. [학술지(정기간행물)] - T. L. Alford / 2009 / / J. Appl. Phys 106 : 114902 ~
5. [학술지(정기간행물)] - M. Posselt / 1994 / / Radiat. Eff. Defects Solids 130 : 87 ~
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