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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 50 - 56 (7page)
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본 논문에서는 버퍼막 두께 및 열처리 온도에 따른 ZnO/b-ZnO/p-Si(111) 기반 이종접합 다이오드 전류 특성에 대한 연구가 진행되었고, b-ZnO (ZnO buffer layer) 버퍼막 두께 및 열처리 온도에 따른 p-Si(111) 기판 위에 증착시킨 ZnO 박막의 구조적, 전기적 특성 또한 연구되었다. X-ray diffraction (XRD) 방법을 이용하여 ZnO 박막의 구조적 특성을 측정하였고, semiconductor parameter analyzer를 이용하여 ZnO/b-ZnO/p-Si(111) 이종접합 다이오드의 Ⅰ-Ⅴ 특성을 평가하였다. XRD분석 결과 버퍼막 열처리 온도 700℃, 버퍼막 두께 70 ㎚에서 ZnO 박막은 우세한 (002) 방향의 c-축 배향성을 갖는 육방정계(hexagonal wurtize) 결정 구조를 나타내었다. 전기적 특성인 운반자 농도, 비저항 값의 경우에는 버퍼막 열처리 온도700℃, 버퍼막 두께 50 ㎚에서 우수한 전기적 특성(비저항: 2.58×10?⁴ [Ω-㎝], 운반자 농도: 1.16×10²? [㎝?³3])을 보였다. 또한 ZnO/b-ZnO/p-Si(111) 이종접합 다이오드의 전류 특성은 버퍼막 열처리 온도 700 ℃에서 버퍼막 두께가 증가할수록 전류 특성이 향상되는 경향을 보였다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과
Ⅳ. 결론
Ⅴ. 감사의 글
참고문헌
참고문헌 (13)
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1. [학술지(정기간행물)] - Y. Zhang / 2004 / / Semicond. Sci. Technol 19 : 755 ~
2. [학술지(정기간행물)] - Simon L. King / 1996 / / Appl. Surf. Sci 96 : 811 ~
3. [학술지(정기간행물)] - Y. L. Liu / 2000 / / Appl. Phys. B 322 (1) : 31 ~
4. [학술지(정기간행물)] - T. Soki / 2000 / / Appl. Phys. Lett 76 : 3257 ~
5. [학술지(정기간행물)] - J. P. Kar / 2009 / / J. Cryst. Growth 311 : 3305 ~
2. [학술지(정기간행물)] - Simon L. King / 1996 / / Appl. Surf. Sci 96 : 811 ~
3. [학술지(정기간행물)] - Y. L. Liu / 2000 / / Appl. Phys. B 322 (1) : 31 ~
4. [학술지(정기간행물)] - T. Soki / 2000 / / Appl. Phys. Lett 76 : 3257 ~
5. [학술지(정기간행물)] - J. P. Kar / 2009 / / J. Cryst. Growth 311 : 3305 ~
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