Capacitively Coupled Plasma Source를 이용한 Etcher의 상부 전극 온도 변화에 따른 Etch 특성 변화 개선

신한수; 노용한; 이내응

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자료유형: 학술저널

저자정보: 신한수 (성균관대학교) 노용한 (성균관대학교) 이내응 (성균관대학교)

저널정보: 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제20권 제5호

발행연도: 2011.9

수록면: 322 - 326 (5page)

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상부 전극에 RF power 가 직접 인가되는 capacitively coupled plasma source를 이용한 oxide layer etching 공정은 현재 반도체 제조 공정에서 매우 유용하게 사용되고 있는 방식이다. 그러나 디바이스의 사이즈가 점점 작아지면서 공정을 진행하기 위한 RF power도 커지고, plasma ignition 되는 electrode 사이의 간격도 점점 좁아지는 기술적 변화가 이루어지고 있다. 이러한 H/W의 변화에 따라 예상치 못한 문제들로 공정을 적용하는데 많은 문제점이 발생하고 있는데, 공정 진행 시에 plasma의 영향으로 인한 electrode의 온도 변화도 그 중 하나이다. 이러한 온도 변화로 인해 wafer to wafer의 공정 진행 결과가 서로 다르게 나타나게 하는 문제가 야기되고 있다. 아래의 내용에서는 상부 electrode의 온도 변화에 따른 etch 특성을 연구하고, 이를 개선할 수 있는 방법에 대해 논하고자 한다.

#식각 #상부 전극 #온도 조절 #Etch #Upper electrode #Temperature control

참고문헌 (5)

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1. [단행본] - B. Chapman / 1980 / Glow Discharge Processes : Sputtering and Plasma Etching / Wiley-Interscience

2. [단행본] - J. D. Plummer / 2000 / Silicon VLSI Technology: Fundamentals, Practice, and Modeling / Prentice Hall

3. [단행본] - J. R. Roth / 1995 / Industrial Plasma Engineering: Principles / Taylor & Francis

4. [단행본] - R. d'Agostino / 2008 / Advanced Plasma Technology / Wiley-VCH

5. [단행본] - A. A. Fridman / 2008 / Plasma Chemistry / Cambridge University Press

이 논문의 저자 정보

신한수

소속기관 성균관대학교

주요연구분야 자연과학 > 물리학

논문수 1 이용수 48

노용한

소속기관 성균관대학교

주요연구분야 자연과학 > 물리학

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이내응

소속기관 성균관대학교

주요연구분야 자연과학 > 물리학

논문수 4 이용수 123

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