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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.7
- 수록면
- 288 - 293 (6page)
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본 논문은 InGaN/GaN 다중양자우물 구조를 가지는 녹색 발광다이오드의 활성층 내 인듐(In) 조성비와 piezoelectric field에 대한 전계 흡수 현상을 연구하였다. 활성층 내 결정학적 성질과 In 조성비는 double crystal X-ray diffraction 측정으로 분석하였으며, 1×1 ㎟ 대면적 칩을 제작하여 발광특성을 조사하였다. 또한, 활성층 내 piezoelectric field는 electro-reflectance spectroscopy로부터 측정한 compensation voltage를 이용해 계산하였고, 인가전압에 따른 photocurrent의 변화를 측정함으로써 녹색 발광 소자의 전기 광학적 특성을 분석하였다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
참고문헌 (17)
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1. [학술지(정기간행물)] - S. Nakamura / 1998 / / Science 281 : 956 ~
2. [학술지(정기간행물)] - 김기홍 / 2009 / InxGa1-xN/GaN 다중양자우물 구조의 광학적 성질 연구 / 한국진공학회지 18 (1) : 37 ~ 43
3. [학술지(정기간행물)] - Z. Lei / 2007 / / Microelectron. J 38 : 1 ~
4. [학술지(정기간행물)] - F. Sacconi / 2006 / / J. Comput. Electron 5 : 115 ~
5. [학술지(정기간행물)] - J. Y. Wang / 2010 / / Optics Express 18 : 2682 ~
2. [학술지(정기간행물)] - 김기홍 / 2009 / InxGa1-xN/GaN 다중양자우물 구조의 광학적 성질 연구 / 한국진공학회지 18 (1) : 37 ~ 43
3. [학술지(정기간행물)] - Z. Lei / 2007 / / Microelectron. J 38 : 1 ~
4. [학술지(정기간행물)] - F. Sacconi / 2006 / / J. Comput. Electron 5 : 115 ~
5. [학술지(정기간행물)] - J. Y. Wang / 2010 / / Optics Express 18 : 2682 ~
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