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한상호 (광운대학교) 김윤중 (광운대학교) 김정현 (광운대학교) 김동준 (광운대학교) 정종윤 (광운대학교) 김성인 (광운대학교) 조광섭 (광운대학교)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제20권 제4호
발행연도
2011.7
수록면
280 - 287 (8page)

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열전소자를 사용하여 발광다이오드의 방열효과를 조사하였다. 열전소자의 냉각기능인 펠티에 효과(Peltier effect)를 이용하여, 고전력 발광다이오드의 방열과 p-n접합부의 온도를 제어하였다. 정격전류(350 ㎃)에 대한 고전력(1 W급) 발광다이오드(Light Emitting Diodes: LEDs)의 온도와 p-n접합부 온도는 각각 64.5℃와 79.1℃이다. 열전소자의 입력 전력 0.1∼0.2 W에 대하여, LED의 온도와 접합부 온도는 각각 54.2℃와 68.9℃로 낮아진다. 열전소자에 입력 전력을 0.2 W 이상으로 증가할수록, LED의 온도와 접합부의 온도가 상승한다. 이는 열전소자에 의하여 흡수된 열이 LED로 역류하기 때문이다. 따라서 열전 소자의 냉각기능을 유지하기 위하는 열의 역류를 제어하여야 하며, 열의 역류는 LED의 온도와 방열장치의 온도 차가 클수록 커진다.

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 열전소자의 LED 방열 작용
Ⅲ. 실험 방법
Ⅳ. 결과 및 논의
Ⅴ. 결론
감사의 글
참고문헌

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