RF Sputtering의 증착 조건에 따른 HfO₂ 박막의 Nanocrystal에 의한 Nano-Mechanics 특성 연구

김주영; 김수인; 이규영; 권구은; 김민석; 엄승현; 정현진; 조용석; 박승호; 이창우

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저자정보: 김주영 (국민대학교) 김수인 (국민대학교) 이규영 (국민대학교) 권구은 (국민대학교) 김민석 (서울과학고등학교) 엄승현 (서울과학고등학교) 정현진 (서울과학고등학교) 조용석 (서울과학고등학교) 박승호 (서울과학고등학교) 이창우 (국민대학교)

저널정보: 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제21권 제5호

발행연도: 2012.9

수록면: 273 - 278 (6page)

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재 Hf (Hafnium)을 기반으로한 게이트 유전체의 연구는 여러 분야에서 다양하게 진행되어져 왔다. 이는 기존의 SiO₂보다 유전상수 값이 크고, 또한 계속되는 scaling-down 공정에서도 양자역학적인 터널링을 차단하는 특성이 뛰어나기 때문이다. MOSFET 구조에서 유전체 박막의 두께 감소로 인한 전기적 특성 저하를 보완하기 위해서 high-K 재료가 대두되었고 현재 주를 이루고 있다. 그러나 현재까지 HfO₂에 대한 nano-mechanical 특성 연구는 부족한 상태이므로 본 연구에서는 게이트 절연층으로 최적화하기 위하여 HfO₂ 박막의 nano-mechanical properties를 자세히 조사하였다. 시료는 rf magnetron sputter를 이용하여 Si (silicon) 기판 위에 Hafnium target으로 산소유량(4, 8 sccm)을 달리하여 증착하였고, 이후 furnace에서 400에서 800℃까지 질소분위기에서 20분간 열처리를 실시하였다. 실험결과 산소 유량을 8 sccm으로 증착한 시료가 열처리 온도가 증가할수록 누설전류 특성 성능이 우수 해졌다. Nano-indenter로 측정하고 Weibull distribution으로 정량적 계산을 한 결과, HfO₂ 박막의 stress는 as-deposited 시료를 기준으로 400℃에서는 tensile stress로 변화되었다. 그러나 온도가 증가(600, 800℃)할수록 compressive stress로 변화 되었다. 특히, 400℃ 열처리한 시료에서 hardness 값이 (산소유량 4 sccm : 5.35 GPa, 8 sccm : 5.54 GPa) 가장 감소되었다. 반면에 800℃ 열처리한 시료에서는(산소유량 4 sccm : 8.09 GPa, 8sccm : 8.17 GPa) 크게 증가된 것을 확인하였다. 이를 통해 온도에 따른 HfO₂ 박막의 stress 변화를 해석하였다.

Over the last decade, the hafnium-based gate dielectric materials have been studied for many application fields. Because these materials had excellent behaviors for suppressing the quantum-mechanical tunneling through the thinner dielectric layer with higher dielectric
constant (high-K) than SiO₂ gate oxides. Although high-K materials compensated the deterioration of electrical properties for decreasing the thickness of dielectric layer in MOSFET structure, their nano-mechanical properties of HfO₂ thin film features were hardly known. Thus, we examined nano-mechanical properties of the Hafnium oxide (HfO2) thin film in order to optimize the gate dielectric layer. The HfO₂ thin films were deposited by rf magnetron sputter using hafnium (99.99%) target according to various oxygen gas flows. After deposition, the HfO₂ thin films were annealed after annealing at 400℃, 600℃ and 800℃ for 20 min in nitrogen ambient. From the results, the current density of HfO₂ thin film for 8 sccm oxygen gas flow became better performance with increasing annealing temperature. The nano-indenter and Weibull distribution were measured by a quantitative calculation of the thin film stress. The HfO₂ thin film after annealing at 400℃ had tensile stress. However, the HfO₂ thin film with increasing the annealing temperature up to 800℃ had changed compressive stress. This could be due to the nanocrystal of the HfO₂ thin film. In particular, the HfO₂ thin film after annealing at 400℃ had lower tensile stress, such as 5.35 GPa for the oxygen gas flow of 4 sccm and 5.54 GPa for the oxygen gas flow of 8 sccm. While the HfO₂ thin film after annealing at 800℃ had increased the stress value, such as 9.09 GPa for the oxygen gas flow of 4 sccm and 8.17 GPa for the oxygen gas flow of 8 sccm. From these results, the temperature dependence of stress state of HfO₂ thin films were understood.

#전류밀도 #나노인덴터 #스트레스 #하프늄 산화막 #와이블 분포 #Current density #Nano-indenter #Stress #HfO₂ #Weibull distribution

참고문헌 (10)

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S. I. Kim / 2011 / J. Nanosci. & Nanotechnol 11:1401

S. I. Kim / 2011 / Thin Solid Films 519:6872

김수인 / 2012 / 표면처리에 의한 유기발광소자(OLED)용 Ag 전극의 Nano-size 효과 연구 / 한국진공학회지 21(1):12~16

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