열처리 공정으로 제조한 In₂Se₃ 박막의 구조 및 광학적 물성을 조사하여 보고한다. 기판위에 스퍼터링 방법으로 인듐(In: indium)을 증착하고 셀레늄 분위기에서 열처리 온도를 변화시키며 In-Se 박막을 제조하였다. 열처리 온도가 증가함에 따라 In₂Se₃ 박막의 형성과 상의 변화를 관찰 할 수 있었다. 낮은 열처리 온도(≤150℃)에서는 In의 뭉침 현상을 관찰할 수 있었고 열처리 온도가 250℃ 부터 In₂Se₃ 박막이 형성되며 350℃ 에서 γ-In₂Se₃ 상이 형성됨을 알 수 있었다. 열처리 온도가 400℃로 증가면 wurtzite 구조의 고품질 γ-In₂Se₃ 박막을 얻을 수 있었다. 열처리 온도가 증가함에 따라 In₂Se₃ 박막의 밴드갭이 증가함을 알 수 있었고, 열처리 온도 400℃에서 제조된 γ-In₂Se₃ 결정질 박막의 밴드갭이 1.796eV임을 알았다.
We report investigation of structural and optical characteristics of In₂Se₃ thin films fabricated by thermal annealing process. Indium (In) is deposited on substrates by sputtering methods and In₂Se₃ thin films are fabricated by thermal annealing it with selenium vapor. The annealing temperature was changed from 150℃ to 400℃. We observe formation and phase changes of In₂Se₃ thin films with increase of annealing temperature. Conglomeration of In is observed at low annealing temperature (≤150℃). In₂Se₃ phases are started to form at 200℃ and γ-In₂Se₃ phase form at 350oC. High-quality γ-In₂Se₃ thin film with wurtzite structure is obtained at 400oC of annealing temperature. Furthermore, we confirm that band gaps of In₂Se₃ thin films are increased according to increase of annealing temperature. Optical band gap of high-quality γ-In₂Se₃ is found to be 1.796eV.