메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
박재형 (한국광기술원) 김대영 (한국광기술원) 박광훈 (한국광기술원) 한명수 (한국광기술원) 김효진 (한국광기술원) 신재철 (한국광기술원) 하준석 (전남대학교) 김광복 (금호전기프론티어연구센터) 고항주 (한국광기술원)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제21권 제3호
발행연도
2012.5
수록면
136 - 141 (6page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
열처리 공정으로 제조한 In₂Se₃ 박막의 구조 및 광학적 물성을 조사하여 보고한다. 기판위에 스퍼터링 방법으로 인듐(In: indium)을 증착하고 셀레늄 분위기에서 열처리 온도를 변화시키며 In-Se 박막을 제조하였다. 열처리 온도가 증가함에 따라 In₂Se₃ 박막의 형성과 상의 변화를 관찰 할 수 있었다. 낮은 열처리 온도(≤150℃)에서는 In의 뭉침 현상을 관찰할 수 있었고 열처리 온도가 250℃ 부터 In₂Se₃ 박막이 형성되며 350℃ 에서 γ-In₂Se₃ 상이 형성됨을 알 수 있었다. 열처리 온도가 400℃로 증가면 wurtzite 구조의 고품질 γ-In₂Se₃ 박막을 얻을 수 있었다. 열처리 온도가 증가함에 따라 In₂Se₃ 박막의 밴드갭이 증가함을 알 수 있었고, 열처리 온도 400℃에서 제조된 γ-In₂Se₃ 결정질 박막의 밴드갭이 1.796eV임을 알았다.

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (16)

참고문헌 신청

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001273957