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김동해 (광운대학교) 손찬희 (광운대학교) 윤명수 (광운대학교) 이경애 (광운대학교) 조태훈 (광운대학교) 서일원 (광운대학교) 엄환섭 (광운대학교) 김인태 (광운대학교) 최은하 (광운대학교) 조광섭 (광운대학교) 권기청 (광운대학교)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제21권 제6호
발행연도
2012.11
수록면
333 - 341 (9page)

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본 연구는 RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 산소유량 변화에 따라 증착된 ITO 박막 구조적, 전기적, 광학적 특성을 분석하였다. ITO (Indium Tin Oxide) 박막은 1.0×10-3 Torr의 공정 압력과 2 kW 및 13.56 MHz의 RF 전력, 1,000 sccm의 Ar 가스 조건하에 0∼12 sccm의 O2 가스 유량을 변경하면서 증착하였다. 광투과율 측정은 적분구를 이용하였으며, 측정 파장 범위는 300∼1,100 nm이다. 4-point probe를 이용하여 면저항을 측정하였으며, Hall Measurement System을 이용하여 비저항, 캐리어 농도 및 전자이동도를 측정하였다. Scanning electron icroscope 장비를 이용하여 ITO 박막 표면을 분석하였고, 박막의 거칠기는 Atomic force microscope을 이용하여 측정하였다. γ-Focused ion beam system을 이용하여 ITO 박막의 이차전자방출계수를 측정하였으며, 이차전자방출계수 값으로 Auger neutralization mechanism 분석법을 이용해 ITO 박막의 일함수를 결정하였다. 3 sccm의 산소 유량에서 증착된 ITO 박막의 비저항은 약 2.4×10-4 Ωㆍcm로 가장 좋았으며, 광학적특성 또한 84.93% (Weighted average)로 가장 좋은 것을 확인할 수 있었다. 이 조건에서 이차전자방출 계수가 가장 높았고 일함수는 가장 낮은 경향의 일치함을 확인하였다.

목차

초록
I. 서론
II. 실험 방법
III. 실험결과
IV. 결론
참고문헌
abstract

참고문헌 (32)

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