메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
권세라 (강원대학교) 류미이 (강원대학교) 송진동 (한국과학기술연구원)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제21권 제6호
발행연도
2012.11
수록면
342 - 347 (6page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
Migration-enhanced molecular beam epitaxy법을 이용하여 GaAs 기판에 성장한 InAs 양자점(quantum dots: QDs)의 광학적 특성을 PL (photoluminescence)과 time-resolved PL을 이용하여 분석하였다. 시료 온도, 여기 광의 세기, 발광 파장에 따른 InAs/GaAs QDs (QD1)과 In0.15Ga0.85As 캡층을 성장한 InAs/GaAs QDs (QD2)의 발광특성을 연구하였다. QD2의 PL 피크는 QD1의 PL 피크보다 장파장에서 나타났으며, 이것은 InGaAs 캡층의 In이 InAs 양자점으로 확산되어 양자점의 크기가 증가한 것으로 설명된다. 10 K에서 측정한 QD1과 QD2의 PL 피크인 1,117 nm와 1,197 nm에서 PL 소멸시간은 각각 1.12 ns 와 1.00 ns이고, 발광파장에 따른 PL 소멸시간은 PL 피크 근처에서 거의 일정하게 나타났다. QD2의 PL 소멸시간이 QD1보다 짧은 것은 QD2의 양자점이 커서 파동함수 중첩이 향상되어 캐리어 재결합이 증가한 때문으로 설명된다.
#InAs #양자점 #포토루미네션스 #시간분해 포토루미네션스 #Quantum dots #Photoluminescence #Time-resolved photoluminescence

목차

초록
I. 서론
II. 실험방법
III. 실험결과 및 논의
IV. 결론
참고문헌

참고문헌 (20)

참고문헌 신청
M. Asada / 1986 / IEEE J. Quantum Electron 22:1915 google schola Y. Nakata / 2000 / J. Crystal Growth 208:93 google schola A. D. Stiff / 2001 / Appl. Phys. Lett 79:421 google schola A. Fiore / 2000 / IEEE Photon. Technol. Lett 12:1601 google schola D. Zhou / 2010 / Appl. Phys. Lett 96:083108 google schola

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

Luminescence Properties of InAlAs/AlGaAs Quantum Dots Grown by Modified Molecular Beam Epitaxy
Se Ra Kwon ,  Mee-Yi Ryu ,  Jin Dong Song Applied Science and Convergence Technology 2014 .11
As 차단 시간 변화에 의한 InAs 양자점의 광학적 특성
최윤호 ,  류미이 ,  조병구 외 1명 Applied Science and Convergence Technology 2013 .03
다층 성장한 InAs/InAlGaAs 양자점의 광학적 특성
오재원 ,  권세라 ,  류미이 외 2명 Applied Science and Convergence Technology 2011 .11

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001274176