A CMOS LNA based on Inverter Structure for Wideband Applications

정지학

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자료유형: 학술저널

저자정보: 정지학

저널정보: 한국지식정보기술학회 한국지식정보기술학회 논문지 한국지식정보기술학회 논문지 제14권 제3호

발행연도: 2019.1

수록면: 237 - 246 (10page)

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In recent years, the potential technology for short distance and high-data wireless communication systems has been grown. Ultra-wideband (UWB) technology has emerged as a considerable interest and new technology. According to a proposed standard, the UWB system is assigned to operate over 3.1 - 5 GHz or 3.1 - 10.6 GHz. Most of the proposed applications allow transmission of signals between 3.1 and 10.6 GHz. In this paper, a wideband CMOS Low Noise Amplifier (LNA) is proposed with a inverter structure using inductor peaking technique and broadband matching techniques, which meets stringent requirements of UWB system in the proposed specifications. The proposed LNA has the inverter structure and cascode structure with shunt feedback. Measurement results show the maximum power gain (S21) of 17.4 dB with the 3-dB band and input/output reflection coefficient (S11, S22) of less than –9.7 dB from 3.1 to 9.6 GHz. In addition, the fabricated LNA achieves the minimum noise figure (NF) of 3.5 dB from the operating frequency, which value is much lower than previously reported state-of-the-art wideband amplifiers. The input-referred IIP3 and the input-referred P1dB of the proposed LNA are achieved as 0 dBm and –10 dBm, respectively, while consuming 27 mW in 0.18- RF CMOS process.

참고문헌 (18)

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C. T. Fu / 2010 / Low-noise amplifier design with dual reactive feedback for broadband simultaneous noise and impedance matching / IEEE Transaction on Microwave Theory Techniques 58:795~806

S. F. Chao / 2018 / A DC-11.5 GHz low-power, wideband amplifier using splitting-load inductive peaking technique / IEEE Microwave Wireless Component Letters 18(7):482~484

Y-H. Jang / 2012 / A compact wideband CMOS LNA with low power consumption / Microwave Optical Technology Letters 54(10):2360~2363

J. Y-C. Liu / 2014 / A wideband inductor-less single-to-differential LNA in 0.18 um CMOS technology for digital TV receivers / IEEE Microwave Wireless Component Letters 24(7):472~474

D. Bhatt / 2017 / A 1–11 GHz ultrawideband LNA using M-derived inductive peaking circuit in UMC 65 nm CMOS / Microwave Optical Technology Letters 59(3):521~526

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