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논문 기본 정보
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- 학술저널
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- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제20권 제1호
- 발행연도
- 2019.1
- 수록면
- 7 - 11 (5page)
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In this work, two thermal annealing processes (furnace and laser annealing) are adopted to obtain < 2.0 V collector-emitter saturation voltage (Vce(sat)), an important device parameter giving an effect on switching speed and power consumption of > 3000 V breakdown voltage in insulated gate bipolar transistors (IGBTs) for propulsion control system of electric vehicles. In furnace annealing process (450 °C for 30 min), the parameter of Vce(sat) is 5.5–6.5 V once measuring at Ic = 2.0 A with EDS(electrical die sorting) analyser. However, annealing process was performed using a laser equipment to lower the Vce(sat). After back side grinding and back side implant, the sample wafer undergoes laser annealing process. From various annealing conditions it was found that the Vce(sat) was 1.6–1.7 V when measuring at collector current (Ic) of 2.0 A after annealing at pulse with of 1100 nm, 3-overlap and 3.5 J/cm2. From these results, it is found that the Vce(sat) is loweras increasing laser energy density and overlapping and the well-distributed Vce(sat) values over the entire chips appear as widening the laser pulse.
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