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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제32권 제3호
발행연도
2019.1
수록면
196 - 200 (5page)

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본 연구에서는 상용 ZnO 기판의 광학적 특성을 평가하기 위한 광 여기발광 분석법(Photoluminescence, PL) 분석을 실시하였다. 특히 상용 기판에서 가장 강한 발광강도를 보이는 바운드 엑시톤 (Bound Exciton, BX)의 발광에 주목하였다. 15 K PL에서 도너형 불순물에 의한 BX 피크 (DX)가 지배적이며 TES (Two Electron Satellite) 발광, Donor-Accepter Pair (DAP) 발광, LO-phonon replica 발광 등이 관찰되었다. 이러한 발광의 온도변화 특성을 조사하여, 시료의 불순물 농도 1015~1016 /cm3를 결정할 수 있었으며 온도변화에 따른 발광의 강도와 반치폭 변화 등은 자유엑시톤에 의한 해석과 거의 동일하게 해석되어 기판의 광학적 물성 평가에 이용 될 수 있음을 알 수 있었다.

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