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차세대 디스플레이에 요구되는 핵심 요소인 대면적, 고이동도 및 고 신뢰성과 같은 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 개발하는 것이 필수적이다. 본 논문에서는 디스플레이 분야에서 가장 많이 연구되고있는 산화물 반도체 기반의 박막 트랜지스터의 신뢰성 향상에 관한 연구 동향을 조사 하였다. 고압의 산소 분위기에서 열처리를 진행하면 NBIS에서 임계전압의 이동이 -7.1 V에서 -1.9 V로 감소한다고 보고되었다. 그리고 SiO2/Si3N4 이중 구조를 갖는 소자(-0.82 V)는 단일 게이트 절연체 기반 소자(-11.6 V)보다 NBIS 환경에서 낮은 임계전압을 갖는다. 서로 다른 산소분압을 갖는 이중 채널 구조는 NBIS 하에서 안정한 임계전압을 갖는 것으로 확인되었다. 이러한 연구들은 NBIS 문제를 개선하기 위한 더 나은 연구를 위해 고려될 수 있다.

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