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사파이어 단결정을 성장시키는 기존 합성방법들의 원료충진율을 높이기 위한 방법으로 스컬용융법을 사용하여Al2O3 파우더를 용융시켰다. 냉각도가니 크기는 내경 24 cm, 내부 높이 30 cm로서 2.75 MHz 발진주파수에서 15 kg의 Al2O3 파우더를 1시간 내에 모두 용융시켰으며, 3시간 동안 융액상태로 유지 후 자연냉각 시켰다. 냉각된 잉곳의 부분별 면밀도및 성분은 SEM-EDS를 통해 분석하였다. 잉곳의 면밀도 및 Al2O3 함량은 고주파유도가열 시 냉각도가니 내부에 형성되는온도 분포와 관련이 있으며, 온도가 높게 형성되었던 부분이 면밀도 및 순도가 높게 나타나는 경향을 보였다.
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M. Wu / 2017 / Control of melt-crystal interface shape during sapphire crystal growth by heat exchanger method / J. Cryst. Growth 474:32
M.J. Hur / 2017 / Crystal front shape control by use of an additional heater in a Czochralski sapphire single crystal growth system / J. Cryst. Growth 474:24
G. Alombert-Goget / 2016 / Large Ti-doped sapphire single crystals grown by the kyropoulos technique for petawatt power laser application / Opt. Mater 61:21
M.J. Hur / 2014 / The influence of crucible and crystal rotation on the sapphire single crystal growth interface shape in a resistance heated Czochralski system / J. Cryst. Growth 385:22
M.S. Akselrod / 2012 / Modern trends in crystal growth and new applications of sapphire / J. Cryst. Growth 360:136
M.J. Hur / 2017 / Crystal front shape control by use of an additional heater in a Czochralski sapphire single crystal growth system / J. Cryst. Growth 474:24
G. Alombert-Goget / 2016 / Large Ti-doped sapphire single crystals grown by the kyropoulos technique for petawatt power laser application / Opt. Mater 61:21
M.J. Hur / 2014 / The influence of crucible and crystal rotation on the sapphire single crystal growth interface shape in a resistance heated Czochralski system / J. Cryst. Growth 385:22
M.S. Akselrod / 2012 / Modern trends in crystal growth and new applications of sapphire / J. Cryst. Growth 360:136
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