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강재홍 (전자부품연구원) 이석희 (전자부품연구원) 안광호 (전자부품연구원) 김완식 (LIG넥스원) 정주용 (LIG넥스원) 이주영 (LIG넥스원) 김종필 (LIG넥스원) 서미희 (국방과학연구소) 김소수 (국방과학연구소) 김기진 (전자부품연구원)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제57권 제1호(통권 제506호)
발행연도
2020.1
수록면
22 - 27 (6page)
DOI
10.5573/ieie.2020.57.1.22

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본 논문에서는 상용 GaN 100-nm 공정을 이용하여 진행파 방식의 W대역 single-pole single-throw(SPST) 스위치를 설계하였다. 상용 GaN 100-nm 공정에서 제공되는 스위치 트랜지스터를 W대역에서 이용하기 위하여 직렬 커패시터를 삽입하여 고주파에서 발생하는 기생성분을 보상하는 간단한 회로 구조를 제안하였다. 측정결과 삽입손실은 75 GHz～110 GHz 대역에서 2.564 dB 이하이며, 격리도는 78.7 GHz～110 GHz 대역에서 10 dB 이상, 88.5 GHz～110 GHz 대역에서 20 dB 이상, 96.8 GHz～110 GHz 대역에서 30 dB 이상의 성능을 보인다. S11과 S22 반사계수 특성은 75 GHz～110 GHz 대역에서 -11.068 dB 이하이다.
#GaN #W-band #MMIC #Switch #Traveling-Wave

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로 설계 및 측정 결과
Ⅲ. 결론
REFERENCES

참고문헌 (3)

참고문헌 신청
Hiroshi Mizutani / 2000 / DC–110-GHz MMIC Traveling-Wave Switch / IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 48(5):840~845 google schola Kun-You Lin / 2004 / Millimeter-Wave MMIC Passive HEMT Switches Using Traveling-Wave Concept / IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 52(8):1978~1808 google schola Kun-You Lin / 2003 / Millimeter-Wave MMIC Single-Pole-Double-Throw Passive HEMT Switches Using Impedance-Transformation Networks / IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 51(4):1076~1085 google schola

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