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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.2
- 수록면
- 105 - 111 (7page)
- DOI
- 10.3795/KSME-B.2020.44.2.105
이용수
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과불화 화합물의 촉매로 사용되는 γ-Al₂O₃ 촉매의 성능 열화를 방지하기 위하여, γ-Al₂O₃ 촉매에 Co, Zr, Co-Zr을 함침 후 50시간 동안 750℃에서 CF₄ 가수 분해 시험을 진행하였다. γ-Al₂O₃의 경우 1.93%/h의 매우 큰 촉매 성능 감소율을 보였고, Co/Al₂O₃, Zr/Al₂O₃, 그리고 Co-Zr/Al₂O₃의 경우 각각 0.68, 1.12, 그리고 0.24%/h의 촉매 성능 감소율을 보여 Co-Zr, Co, Zr 함침 순으로 분해 안정성이 향상됨을 확인하였다. 제작된 샘플의 구조적 열화를 확인하기 위하여 가수 분해 반응 전, 후의 Co<SUP>2+</SUP>와 Al<SUP>3+</SUP>의 격자 내 분포를 확인하였다. Co-Zr/Al₂O₃ 내 Zr의 영향으로 Al<SUP>3+</SUP>[Co<SUP>2+</SUP>Al<SUP>3+</SUP>]O₄ inverse spinel 구조가 더 쉽게 형성됨을 확인하 였으며, 이를 통해 HF에 의한 γ-Al₂O₃ 촉매의 상 전이를 억제하고 촉매의 내구성을 향상시킬 수 있는 방안을 제안하였다.
목차
초록
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌(References)
참고문헌 (23)
참고문헌 신청
Tsai, W. T., Chen, H. P. and Hsien, W. Y., 2002, “A Review of Uses, Environmental Hazards and Recovery/Recycle Technologies of Perfulorocarbons (PFCs) Emissions from the Semiconductor Manufacturing Processes,” Journal of Loss Prevention in the Process Industries, Vol. 15, No. 2, pp. 65~75.
Kim, S., Park, J. S., Kim, J. H., Kim, C. K. and Kim, S., 2019, “Auto-Masked Surface Texturing of Kerf-Loss Free Silicon Wafers Using Hexafluoroisopropanol in a Capacitively Coupled Plasma Etching System,” ECS Journal of Solid State Science and Technology, Vol. 8, No. 4, pp. Q76~Q79.
Schaefer, D. O., Godwin, D. and Harnisch, J., 2006, “Estimating Future Emissions and Potential Reductions of HFCs, PFCs, and SF6,” The Energy Journal, Vol. 27, pp. 63~88.
Lee, J. W., Park, N. K., Lee, T. J. and Chang, W. C., 2015, “Catalytic Decomposition Process for Fluorine based Global Warming Gases Exhausted in Semiconductor Production Process,” Journal of Energy & Climate Change, Vol. 10, No. 1, pp. 39~51.
Lee, H. M. and Chen, S. H., 2017, “Thermal Abatement of Perfluorocompounds with Plasma Torches,” Energy Procedia, Vol. 142, pp. 3637~3643.
Kim, S., Park, J. S., Kim, J. H., Kim, C. K. and Kim, S., 2019, “Auto-Masked Surface Texturing of Kerf-Loss Free Silicon Wafers Using Hexafluoroisopropanol in a Capacitively Coupled Plasma Etching System,” ECS Journal of Solid State Science and Technology, Vol. 8, No. 4, pp. Q76~Q79.
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