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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.3
- 수록면
- 450 - 453 (4page)
- DOI
- 10.5370/KIEE.2020.69.3.450
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The forward biased safe operating area of insulated gate bipolar transistors (IGBTs) is important for stable and reliable operations. A parasitic thyristor latch-up has limited the on-state operation of the devices. In this manuscript, we reported the forward biased safe operating area of the vertical punch through IGBTs with various N buffer layers, carrier lifetimes, and temperatures. Increasing the thickness and doping concentration of the N buffer layer decreased the forward current and improved the forward biased safe operating area. The low forward current suppressed a parasitic thyristor latch-up. Reducing the carrier lifetime increased the forward bias safe operating area due to the enhanced recombination in the N buffer layer. At the high temperature, two conflicting mechanisms of the forward bias safe operating area were found. As the temperature rised, the forward bias safe operating area increased due to the channel scattering and forward current reduction. The forward biased safe operating area rather decreased at the high temperature because the parasitic thyristor easily triggered at the low collector voltage.
목차
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
References
참고문헌 (14)
참고문헌 신청
R. Bhojani / 2019 / Investigation of repetitive short-circuit operation of 1200 V IGBTs in the IC-VCE phase space / Microelectron. Reliab 100-101:113356
Y. Chen / 2018 / Investigation and classification of short-circuit failure modes based on three-dimensional safe operating area for high-power IGBT modules / IEEE Trans. Power Electron 33(2):1075~1086
A. Q. Huang / 2017 / Power semiconductor devices for smart grid and renewable energy systems / Proc. IEEE 105(11):2019~2047
D. W. Brown / 2012 / Turn-off time as an early indicator of insulated gate bipolar transistor latch-up / IEEE Trans. Power Electron 27(2):479~489
M. Sumitomo / 2012 / Low loss IGBT with partially narrow mesa structure / 24th Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices & IC’s :17~20
Y. Chen / 2018 / Investigation and classification of short-circuit failure modes based on three-dimensional safe operating area for high-power IGBT modules / IEEE Trans. Power Electron 33(2):1075~1086
A. Q. Huang / 2017 / Power semiconductor devices for smart grid and renewable energy systems / Proc. IEEE 105(11):2019~2047
D. W. Brown / 2012 / Turn-off time as an early indicator of insulated gate bipolar transistor latch-up / IEEE Trans. Power Electron 27(2):479~489
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