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In this paper, we propose a complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) binary image sensor with a gate/body-tied (GBT)p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (PMOSFET)-type photodetector using a double-tail comparator for highspeedand low-power operations. The GBT photodetector is based on a PMOSFET tied with a floating gate (n+ polysilicon) and a bodythat amplifies the photocurrent generated by incident light. A double-tail comparator compares an input signal with a reference voltageand returns the output signal as either 0 or 1. The signal processing speed and power consumption of a double-tail comparator are superiorover those of conventional comparator. Further, the use of a double-sampling circuit reduces the standard deviation of the outputvoltages. Therefore, the proposed CMOS binary image sensor using a double-tail comparator might have advantages, such as low powerconsumption and high signal processing speed. The proposed CMOS binary image sensor is designed and simulated using the standard0.18 µm CMOS process.
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