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한국전자통신학회 한국전자통신학회 논문지 한국전자통신학회 논문지 제15권 제3호
발행연도
2020.1
수록면
487 - 494 (8page)

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본 논문에서는 정적소비전력을 줄이며, 전류모드 신호처리의 장점을 최대로 올릴 수 있는 전류메모리 회로 설계를 제안한다. 제안하는 전류 메모리 회로는 기존의 전류 메모리 회로가 갖는 Clock-Feedthrough와 Charge-Injection 등으로 인해 데이터 저장 시간이 길어지면서 전류 전달오차가 심해지는 문제를 최소화하며, 저전력 동작이 가능한 Current Transfer 구조에 Miller effect를 극대화하는 Support MOS Capacitor를 삽입하는 설계로, 저장시간에 따르는 개선된 전류 전달오차를 보였다. 매그나칩/SK하이닉스 0.35 공정으로 칩 제작을 통한 실험 결과, 저장 시간에 따르는 전류 전달오차가 5% 이하로 개선되는 것을 검증하였다.
#Current memory #Current mode Signal Processing Circuit #Current transfer #Support MOS Capacitor

목차

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Y. Seo / 2019 / Si-based FET-type synaptic device with short-term and long-term plasticity using high-k gate stacks / IEEE Transactions on Electron Devices 66(2):917~923 google schola 박소연 / 2019 / 4비트 ADC 반복구조를 이용한 저전력 전류모드 12비트 ADC / 한국전자통신학회 논문지 14(6):1145~1152 dbpia 여성대 / 2016 / Voltage Scaling 기반의 저전력 전류메모리 회로 설계 / 한국전자통신학회 논문지 11(2):159~164 google schola H. Yang / 1990 / Current-feedthrough effects and cancellation techniques in switched-current circuits / IEEE Int. Symposium on Circuits and Systems(ISCAS) 4:3186~3188 google schola G. Balachandran / 2007 / Fully differential switched-Current memory cell with low charge injection errors / IEE Proc. Circuits Devices Syst 48(3):157~164 google schola

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