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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한양대학교 세라믹공정연구센터 Journal of Ceramic Processing Research Journal of Ceramic Processing Research 제20권 제5호
- 발행연도
- 2019.1
- 수록면
- 484 - 489 (6page)
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VO2 is an attractive candidate as a transition metal oxide switching material as a selection device for reduction of sneak-path current. We demonstrate deposition of nanoscale VO2 thin films via thermal atomic layer deposition (ALD) with H2O reactant. Using this method, we demonstrate VO2 thin films with high-quality characteristics, including crystallinity, reproducibility using X-ray diffraction, and X-ray photoelectron spectroscopy measurement. We also present a method that can increase uniformity and thin film quality by splitting the pulse cycle into two using scanning electron microscope measurement. We demonstrate an ON / OFF ratio of about 40, which is caused by metal insulator transition (MIT) of VO2 thin film. ALDdeposited VO2 films with high film uniformity can be applied to next-generation nonvolatile memory devices with high density due to their metal-insulator transition characteristic with high current density, fast switching speed, and high ON / OFF ratio.
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